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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
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影響因子:0.29

審稿周期:預(yù)計(jì)1-3個(gè)月

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志

主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司  主辦單位:南京電子器件研究所
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:1981
  • 國(guó)際刊號(hào):1000-3819
  • 出版周期:雙月刊
  • 郵政編碼:210016
  • 國(guó)內(nèi)刊號(hào):32-1110/TN
  • 全年訂價(jià):¥ 220.00
  • 發(fā)行地區(qū):江蘇
  • 出版語(yǔ)言:中文
主要欄目:
  • 三維集成射頻微系統(tǒng)(專(zhuān)欄)
  • 器件物理與器件模擬
  • 射頻微波與太赫茲
  • 光電子學(xué)
  • 硅微電子學(xué)
  • 材料與工藝
  • 研究簡(jiǎn)訊
雜志簡(jiǎn)介 期刊須知 歷史收錄 數(shù)據(jù)分析 發(fā)文分析 常見(jiàn)問(wèn)題 相關(guān)期刊

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志簡(jiǎn)介

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》于1981年創(chuàng)辦,全刊信息多卻有條有理,堅(jiān)持打造交流思想和經(jīng)驗(yàn)共享的主流平臺(tái),國(guó)內(nèi)刊號(hào)為:32-1110/TN,創(chuàng)刊多年來(lái)受到許多讀者的支持和喜愛(ài)。

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》主要欄目:器件物理與器件模擬、射頻與微波、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊須知 (審稿周期:預(yù)計(jì)1-3個(gè)月)

Ⅰ、引文標(biāo)注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式統(tǒng)一編碼。文獻(xiàn)征引請(qǐng)使用參考文獻(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)格式。

Ⅱ、內(nèi)容摘要為文章主要觀點(diǎn)之提煉,字?jǐn)?shù)一般控制在200——300字為宜;關(guān)鍵詞一般為3至5個(gè)(提供英文摘要及關(guān)鍵詞更佳)。

Ⅲ、篇名:篇名應(yīng)簡(jiǎn)明、具體、確切,能概括文章的特定內(nèi)容,符合編制題錄、索引和檢索的有關(guān)原則,一般不超過(guò)20個(gè)字。

Ⅳ、作者身份、職稱(chēng)、工作單位、通信地址及郵政編碼、電話、傳真、電子信箱等信息。

Ⅴ、注釋?zhuān)悍矊?duì)文章篇名、作者及文內(nèi)某一特定內(nèi)容所作的必要的解釋或說(shuō)明為注釋。用“①、②、③、④……”編號(hào),置于正文之后。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展歷史收錄

雜志咨詢(xún)服務(wù)流程

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展數(shù)據(jù)分析

期刊發(fā)文量和影響因子

期刊被引半衰期和引用半衰期

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展發(fā)文分析

主要發(fā)文學(xué)者分析

學(xué)者姓名 發(fā)文量 主要研究主題
陳堂勝 127 高電子遷移率晶體管;氮化鎵;GAN;砷化鎵;GAA...
林金庭 61 GAAS;MMIC;砷化鎵;單片;微波單片集成電路
陳效建 60 MMIC;砷化鎵;PHEMT;功率放大器;GAAS
薛舫時(shí) 52 HFET;GAN;電流崩塌;勢(shì)壘;溝道
洪志良 50 CMOS;低功耗;跨導(dǎo);電路;鎖相環(huán)
李忠輝 48 氮化鎵;GAN;MOCVD;二維電子氣;高電子遷移率...
李拂曉 45 砷化鎵;GAAS;單片;開(kāi)關(guān);MESFET
魏同立 41 半導(dǎo)體器件;硅;雙極晶體管;集成電路;CMOS
孔月嬋 40 金剛石;襯底;二維電子氣;氮化鎵晶體管;鍵合
張斌 40 微波單片集成電路;MMIC;功率MMIC;氮化鎵;功...

主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

機(jī)構(gòu)名稱(chēng) 發(fā)文量 主要研究主題
南京電子器件研究所 925 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
東南大學(xué) 317 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集...
復(fù)旦大學(xué) 231 電路;功耗;集成電路;低功耗;半...
中國(guó)科學(xué)院 148 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外...
西安電子科技大學(xué) 116 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;...
浙江大學(xué) 77 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半...
清華大學(xué) 70 電路;集成電路;計(jì)算機(jī);半導(dǎo)體;...
天津大學(xué) 69 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)...
南京大學(xué) 68 發(fā)光;半導(dǎo)體;納米;氮化鎵;GAN
中國(guó)科學(xué)院微電子研究... 68 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS

主要資助項(xiàng)目分析

涉及文獻(xiàn) 資助項(xiàng)目
823 國(guó)家自然科學(xué)基金
147 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃
113 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃
68 江蘇省自然科學(xué)基金
50 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專(zhuān)項(xiàng)資金
47 國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)
44 國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金
26 福建省自然科學(xué)基金
24 國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金
24 河北省自然科學(xué)基金

主要資助課題分析

涉及文獻(xiàn) 資助課題
8 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項(xiàng)目(DZXX-053)
8 國(guó)家自然科學(xué)基金(60371029)
8 國(guó)家自然科學(xué)基金(60506012)
8 國(guó)家自然科學(xué)基金(60776016)
8 中央高?;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專(zhuān)項(xiàng)資金(JUSRP51323B)
7 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2009AA011605)
7 北京市人才強(qiáng)教計(jì)劃項(xiàng)目(05002015200504)
7 國(guó)家自然科學(xué)基金(69736020)
7 國(guó)家自然科學(xué)基金(61106130)
6 國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C1402021102)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志訂閱

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常見(jiàn)問(wèn)題

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    我們不是雜志社。本站持有《出版物經(jīng)營(yíng)許可證》,主要從事雜志訂閱與期刊推薦,不是任何雜志官網(wǎng)。直投稿件請(qǐng)聯(lián)系雜志社,地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。

  • 該雜志是什么級(jí)別的期刊?

    該雜志是統(tǒng)計(jì)源期刊。收錄在統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬(wàn)方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)、國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏。

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    該雜志是一本具有雙刊號(hào)的期刊,該雜志的國(guó)內(nèi)刊號(hào)是:32-1110/TN。國(guó)際刊號(hào)是:1000-3819。

  • 該雜志訂閱須知

    該雜志是雙月刊,全年訂價(jià)¥ 220.00元,

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