《半導(dǎo)體光電》雜志論文投稿要求:
Ⅰ、正文中標(biāo)題編排格式為:二級(jí)標(biāo)題用“一”或“一、……”(居中、宋體四號(hào));三級(jí)標(biāo)題用“(一)”(首行縮進(jìn)兩格、宋體五號(hào)加粗);四級(jí)標(biāo)題用“1.……”(宋體五號(hào))。
Ⅱ、稿件尾頁(yè)包括:英文標(biāo)題、英文作者姓名、英文作者單位、英文摘要、英文關(guān)鍵詞;中文作者信息。
Ⅲ、文題要準(zhǔn)確簡(jiǎn)明地反映文章內(nèi)容,一般不宜超過(guò)20個(gè)字,作者姓名排在文題下。
Ⅳ、作者署名應(yīng)限于主要參加者,一般不宜超過(guò)6名。作者單位應(yīng)使用標(biāo)準(zhǔn)全稱,并注明所在省份、城市和郵編。
Ⅴ、參考文獻(xiàn):限為作者親自閱讀、公開(kāi)發(fā)表過(guò)的文獻(xiàn),只選主要的列入,采用順序編碼制著錄,按其文中出現(xiàn)的先后順序用阿拉伯?dāng)?shù)字編號(hào),列于文末,并依次將各編號(hào)外加方括號(hào)置于文中引用處的右上角。
雜志發(fā)文主題分析如下:
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 重慶光電技術(shù)研究所 | 707 | CCD;激光;光電;半導(dǎo)體;探測(cè)器 |
| 中國(guó)科學(xué)院 | 470 | 紅外;探測(cè)器;激光;圖像;激光器 |
| 重慶郵電大學(xué) | 258 | 圖像;紅外;通信;奇偶校驗(yàn);光通... |
| 電子科技大學(xué) | 251 | 光纖;傳感;光學(xué);感器;傳感器 |
| 中國(guó)科學(xué)院大學(xué) | 183 | 圖像;紅外;激光;光學(xué);探測(cè)器 |
| 清華大學(xué) | 132 | 光纖;激光;光電;光學(xué);半導(dǎo)體 |
| 吉林大學(xué) | 128 | 光纖;激光;激光器;半導(dǎo)體;發(fā)光 |
| 華中科技大學(xué) | 127 | 激光;光纖;光學(xué);紅外;封裝 |
| 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精... | 117 | 激光;激光器;光纖;半導(dǎo)體;半導(dǎo)... |
| 上海交通大學(xué) | 111 | 傳感;感器;傳感器;光纖;MEMS |
雜志往期論文摘錄展示
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基于誤碼統(tǒng)計(jì)的邊沿觸發(fā)器建立時(shí)間測(cè)量方法
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電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)HgCdTe/CdTe量子阱拓?fù)湎嘧円鸬墓馕赵鰪?qiáng)研究
共摻雜LiGa5O8∶Cr3+長(zhǎng)余輝材料的制備及發(fā)光特性
選擇區(qū)域外延生長(zhǎng)中掩模介質(zhì)表面Ga原子的遷移特性
CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽(yáng)電池晶粒尺寸及光電性能調(diào)控
基于CMOS工藝的抗光噪聲神經(jīng)微電極
全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備
膜厚對(duì)泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響
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